Measurement of AC parameters of gallium arsenide (GaAs/Ge) solar cell by impedance spectroscopy
نویسندگان
چکیده
منابع مشابه
investigation of effective parameters on the rigidity of light composite diaphragms (psscb) by fem
در این رساله با معرفی سقف های psscb متشکل از ترکیب ورق های فولادی ذوزنقه ای و تخته های سیمانی الیافی به عنوان سقف های پیش ساخته (سازگار با سیستم سازه ای قاب های فولادی سبک) به بررسی پارامترهای موثر بر صلبیت سقف، پرداخته می شود. در تحقیق حاضر ابتدا به مدل سازی دو نمونه سقف آزمایش شده، به روش اجزاء محدود با استفاده از نرم افزار تحلیلی abaqus ver 6.10 پرداخته شده است. نمونه های ساخته شده تحت اعما...
Zeeman spectroscopy of luminescence from vanadium doped gallium arsenide
2014 We report the results of Zeeman spectroscopy of the zero-phonon luminescence at 0.74 eV from GaAs : V. They are interpreted in terms of a 3T2 ~ 3A2 transition within a V3+(3d2) ion. Such a model was introduced by Skolnick et al. in their study of InP : V. J. Physique 45 (1984) 1795-1800 NOVEMBRE 1984, Classification Physics Abstracts 71.55 78.55
متن کاملOptical Measurement of Electron Spin Lifetimes in Gallium Arsenide
Optical Measurement of Electron Spin Lifetimes in Gallium Arsenide Dallas Carl Smith Department of Physics and Astronomy Bachelor of Science We measured T1 spin lifetimes for electrons in gallium arsenide at various magnetic field strengths. To perform these measurements, we initialized and probed the spin states using optical techniques. By changing the delay between the initializing (pump) an...
متن کاملPhotoluminescence Study of Gallium Arsenide, Aluminum Gallium Arsenide, and Gallium Antimonide Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
Photoluminescence Study of Gallium Arsenide, Aluminum Gallium Arsenide, and Gallium Antimonide Thin Films Grown by Metalorganic Chemical Vapor Deposition
متن کاملStudy the Effect of Silicon Nanowire Length on Characteristics of Silicon Nanowire Based Solar Cells by Using Impedance Spectroscopy
Silicon nanowire (SiNW) arrays were produced by electroless method on polycrystalline Si substrate, in HF/ AgNO3 solution. Although the monocrystalline silicon wafer is commonly utilized as a perfect substrate, polycrystalline silicon as a low cost substrate was used in this work for photovoltaic applications. In order to study the influence of etching time (which affects the SiNWs length) on d...
متن کاملذخیره در منابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ژورنال
عنوان ژورنال: IEEE Transactions on Electron Devices
سال: 2001
ISSN: 0018-9383
DOI: 10.1109/16.944213